Los nuevos circuitos integrados aislados aseguran mediciones precisas de corriente y voltaje con una desviación de temperatura ultra baja

Laboratorios de silicio ha introducido una familia de amplificadores analógicos aislados, sensores de voltaje y dispositivos de modulación delta-sigma (DSM) diseñados para proporcionar mediciones precisas de corriente y voltaje con una desviación muy baja a través de la temperatura.

Basada en la robusta tecnología de aislamiento de tercera generación de Silicon Labs, la nueva familia Si89xx ofrece opciones flexibles de voltaje, corriente, salida y paquete para ayudar a los desarrolladores a reducir el costo de la lista de materiales y reducir el espacio de la placa para una amplia gama de aplicaciones industriales y de energía ecológica, incluida la electricidad. Sistemas de carga y gestión de baterías de vehículos (EV), convertidores de CC-CC y motores, turbinas solares y eólicas.

La medición precisa de corriente y voltaje es esencial para la operación precisa de los sistemas de control de potencia. Para maximizar la eficiencia y responder rápidamente a fallas o cambios en la carga, los controladores del sistema requieren información de corriente y voltaje de los rieles de alto voltaje. La tecnología de aislamiento de tercera generación de Silicon Labs mantiene seguros a los controladores a través de amplias variaciones de temperatura con un voltaje de trabajo de 1414 V y una sobretensión bipolar de 13 kV, que exceden los estrictos requisitos de la industria.

Silicon Labs ahora ofrece la cartera más amplia de sensores de corriente y voltaje de la industria. La familia Si89xx incluye cuatro categorías de productos:

• Si892x amplificadores analógicos aislados optimizados para la detección de corriente de derivación
• Si8931 / 2 amplificadores analógicos aislados optimizados para detección de voltaje de uso general
• Dispositivos DSM aislados Si8935 / 6/7 optimizados para detección de voltaje: lo primero en la industria
• Dispositivos DSM aislados Si8941 / 6/7 optimizados para la detección de corriente en derivación

"Nuestras tecnologías de aislamiento de señal mixta de primera y segunda generación han impulsado el fuerte éxito en el mercado de nuestros productos de aislamiento digital en la última década, y nuestra tecnología de tercera generación utilizada en los nuevos dispositivos Si89xx eleva el nivel aún más alto", dijo Brian Mirkin, vicepresidente y gerente general de productos de energía de Silicon Labs.

"Nuestros productos de aislamiento continúan reemplazando a los optoacopladores tradicionales y superan a los aisladores digitales de la competencia, lo que permite un mayor rendimiento de sobretensión, confiabilidad, integración y la mejor seguridad de su clase para diseños de sistemas que requieren protección contra altos voltajes".

Los sistemas de inversores automáticos de baterías y motores / fotovoltaicos requieren un monitoreo confiable de la corriente con una sólida inmunidad al ruido. Los dispositivos Si89xx proporcionan hasta 3 veces mayor inmunidad transitoria en modo común (CMTI) que los productos de la competencia. La inmunidad de 75 kV / µs de los dispositivos a los transitorios rápidos garantiza lecturas de corriente confiables y precisas en aplicaciones industriales exigentes. La familia Si89xx también admite una indicación de seguridad ante el controlador de host si no se detecta la tensión de alimentación del lado alto.

Los dispositivos Si89xx proporcionan un error de compensación típico tan bajo como ± 40 µV y ± 0.1% de error de ganancia, lo que permite mediciones precisas. La desviación de desviación típica tan baja como ± 0.15 µV / ˚C y la desviación de ganancia típica tan baja como –6 ppm / C aseguran una precisión excepcional en toda la temperatura.

Los dispositivos ofrecen la relación señal / ruido (SNR) más alta de la industria, hasta 90 dB. Un modo exclusivo de baja potencia reduce automáticamente el consumo de corriente en un lado de la barrera de aislamiento a aproximadamente 1 mA cada vez que se elimina la tensión del otro lado, lo que permite que un controlador administre la energía con un simple transistor de efecto de campo (FET).

Los dispositivos Si89xx de próxima generación mejoran la flexibilidad de diseño con las siguientes opciones:

• Dispositivos optimizados para voltaje o corriente con salida DSM diferencial o de terminación única
• Rangos de entrada de ± 62.5 mV, ± 250 mV o 2.5 V
• Un paquete de SOIC-8 de cuerpo ancho estirado para admitir un aislamiento de 5 kVrms y una separación / separación de 9 mm y un SOIC-8 de cuerpo estrecho compacto para soportar un aislamiento de 2.5 kVrms