ROHM anuncia la nueva serie SIC MOSFET de grado automotriz

Aumentando su serie SCT3xxxxxHR existente, los nuevos MOSFET calificados AEC-Q101 utilizan una estructura de compuerta de zanja y están disponibles en variantes que incluyen voltajes de ruptura de 650V o 1200V.

Los desafíos planteados por el ascenso del vehículo eléctrico

Rohm ha aumentado su serie SCT3xxxxxHR de MOSFET de carburo de silicio (SiC) de grado automotriz en respuesta a los desafíos planteados por la rápida introducción de vehículos eléctricos (EV).

La serie ROHM SCT3xxxxxHR. Imagen cortesía de ROHM.

Estas demandas incluyen una potencia de batería cada vez mayor, requisitos de tiempo de carga cada vez más rápidos y, además, mayores voltajes de batería, que ahora están en el rango de 800 voltios.

Características importantes de los nuevos MOSFET de carburo de silicio de grado automotriz

Los nuevos dispositivos cuentan con voltajes de ruptura de la fuente de drenaje de 650 voltios o 1200 voltios.

Las unidades de 650 voltios cuentan con resistencias en el estado de la fuente de drenaje que van desde 17 miliohms a 120 miliohms, y corrientes de drenaje que van de 21 amp a 118 amperios.

El circuito interno de todos los miembros de la serie SCT3xxxxxHR. Imagen cortesía de Rohm.

Los miembros del subconjunto de voltaje de ruptura de 650 voltios y sus respectivas hojas de datos son:

Los dispositivos de 1200 voltios cuentan con una resistencia de estado de drenaje de encendido (RDS activado) que varía de 22 miliohmios a 160 miliohmios, y corrientes de drenaje que varían de 17 a 95 amperios.

Los miembros del subconjunto de voltaje de ruptura de 1200 voltios y sus respectivas hojas de datos son:

Además de su baja resistencia de encendido, todos los miembros de la serie cuentan con velocidades de conmutación rápidas y una recuperación inversa rápida. También son fáciles de operar en paralelo y son fáciles de manejar.

Todos los miembros de la serie SCT3xxxxxHR presentan PD de 103 vatios a 427 vatios, un rango de temperatura de funcionamiento de -55ºC a + 175ºC, y están disponibles en paquetes TO-247. Los módulos cuentan con recubrimiento de plomo sin Pb y cumplen con RoHS.

Más allá de su efectividad en aplicaciones automotrices, los miembros de la serie SCT3xxxxxHR encontrarán una amplia aplicación para usar en fuentes de alimentación de modo conmutado.

Dispositivos de competencia

La rápida introducción de los EV ha suscitado el interés de los fabricantes de semiconductores en todo el mundo. Es un campo altamente activo, y aquí están solo tres de los dispositivos de la competencia.

• El SCTW100N65G2AG de STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de carburo de silicio para uso automotriz. Cuenta con un voltaje de ruptura de la fuente de drenaje de 650 voltios, una corriente de drenaje de hasta 100 amperios y una fuente de drenaje típica en estado de resistencia de 20 miliohms y viene en un paquete HiP247. Este dispositivo también está calificado para AEC-Q101.
• El NVHL080N120SC1N de On Semiconductor es otro MOSFET de SiC calificado por AEC-Q101. El dispositivo, con un voltaje de ruptura de la fuente de drenaje de 1200 voltios, tiene una resistencia de estado de encendido de la fuente de drenaje típica de 80 miliohmios y una corriente de drenaje máxima de 20 amperios.
• El E3M0065090D de Wolfspeed está calificado para AEC-Q100 y presenta un voltaje de ruptura mínimo de 900 voltios y una clasificación de corriente de 35 amperios. La temperatura máxima de la unión es de 150 ° C y el RDS activado tiene una potencia de 65 miliohmios.

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¿Has notado que el mercado de EV está impulsando otros desarrollos? Por favor comparta su experiencia en los comentarios.

Imagen destacada cortesía de ROHM.