GaN Heads to Space! VPT presenta convertidores de CC-CC reforzados con radiación con tecnología GaN

La nueva serie de convertidores DC-DC de VPT tiene como objetivo llevar los dispositivos GaN endurecidos por radiación a las aplicaciones espaciales.

VPT lanzó su serie SGRB de convertidores DC-DC calificados con espacio, basados ​​en nitruro de galio, calificados con radiación, en el Satellite 2019 Show.

Los semiconductores de gran ancho de banda de nitruro de galio (GaN) se están convirtiendo en la opción preferida en aplicaciones comerciales. En general, GaN presenta bajas pérdidas de puerta y conmutación, así como una menor capacidad de salida y de puerta. Estas características de GaN ofrecen a los miembros de la serie SGRB una eficiencia de hasta el 95%.

VPT ahora literalmente ha impulsado esta tecnología a la órbita con la introducción de su nueva serie SGRB.

La serie SGRB de convertidores DC-DC basados ​​en GaN, calificados para el espacio. Imagen de VPT

Estos convertidores DC-DC cuentan con una topología de conmutación de voltaje reducido y frecuencia fija. Según VPT, esto permite a los convertidores un ruido de entrada y salida muy bajo, algo que se vuelve crucial cuando se utiliza en sistemas de telecomunicaciones.

Suficientemente resistente para soportar los rigores del espacio

Según lo descrito por Malcolm Campbell, dijo el Director Ejecutivo de Ventas Internacionales y Marketing de VPT. "Las especificaciones del producto SGRB son particularmente adecuadas para aplicaciones de telecomunicaciones espaciales donde la alta eficiencia, el bajo nivel de ruido y la tolerancia a la radiación son fundamentales para el éxito de la misión. Además, vemos la topología de diseño de SGRB como el comienzo de una familia emocionante de futuro. Modelos basados ​​en tecnología GaN ".

Las caracterizaciones a nivel espacial incluyen:

• Rendimiento TID garantizado a 100 krad (Si), incluida la sensibilidad mejorada de tasa de dosis baja (ELDRS)
• Efecto de efectos de efectos únicos (SEE) a 85 MeV / mg / cm2. Los transitorios están completamente caracterizados por la sección transversal y la magnitud.

Cumplimientos importantes y certificación incluyen:

• Fabricado en una instalación certificada según ISO9001, J-STD-001 e IPC-A-610
• Diseñado en línea con MIL-HDBK-1547
• Está disponible la detección hasta el nivel T

Características electricas

Como lo señaló Jeremy Ferrell, Director de Ingeniería de VPT. "El producto SGRB utiliza la tecnología GaN que nos permite aumentar la eficiencia más allá de la oferta tradicional de silicio endurecido por radiación". Es posible conectar hasta cinco de las unidades en paralelo.

Diagrama de bloques para los convertidores DC-DC serie SGRB. Imagen de VPT

Características destacadas

• Alta eficiencia (hasta un 95%) utilizando la tecnología GaN.
• Filtro EMI integrado
• Entrada de 100 V
• 28 V, salida 400 W
• Rango de temperatura: -35 ° C a 85 ° C
• 120 V, 10 mseg transitoria
• 80 V, 10 mseg transitoria
• Proteccion al sobrevoltaje
• Protección de límite de corriente de salida
• Salida protección contra cortocircuitos
• Entrada de telemetría actual

El primer miembro de la serie, ahora disponible, es el convertidor SGRB10028S DC-DC.

Alrededor de la industria

VPT afirma que es "actualmente el único proveedor capaz de ofrecer productos diseñados y fabricados de acuerdo con los requisitos TOR de Aerospace Corporation". Estos incluyen las series SVR y SV de VPT, que no mencionan el uso de semiconductores de GaN.

Sin embargo, hay muchas compañías que ofrecen convertidores DC-DC que se consideran de otra manera como adecuadas para la implementación basada en el espacio.

Además, los semiconductores de banda ancha, como los dispositivos GaN empleados por VPT, así como los dispositivos de carburo de silicio (SiC), ahora se están reforzando para su uso en el entorno espacial.

Parece que VPT puede ser el único fabricante, en este momento, que ha juntado todas las piezas del rompecabezas y puede ofrecer un convertidor DC-DC de espacio reforzado que ofrece las ventajas significativas de los semiconductores de GaN.