Taiwan Semiconductor ofrece cuatro nuevos MOSFET de potencia BLDC Control de motor

Los dispositivos de doble canal N ofrecen voltajes de ruptura DS de 40 V y 60 V y clasificaciones de corriente de 25 A a 48 A.

Taiwan Semiconductor (TSMC) amplía su cartera de MOSFET de potencia de doble canal N con estos nuevos dispositivos. Son los primeros de la serie que se ofrecen en un paquete dual PDFN56.

Los nuevos MOSFET cuentan con voltajes de ruptura de 40 voltios o 60 voltios y clasificaciones de corriente que oscilan entre 25 amperios y 48 amperios. Las especificaciones críticas de RDS (ON) de los nuevos dispositivos varían de 11 mΩ a 30mΩ. La temperatura máxima de unión es de 150 ° C. Todos los dispositivos cuentan con una carga de puerta baja, lo que hace posible la conmutación rápida de frecuencias.

Imagen de Taiwan Semiconductor

Especificaciones clave

TSM110NB04DCR

• La clasificación actual es de 48 amperios
• VDS es de 40 voltios
• El RDS máximo (ENCENDIDO) es de 11 mΩ a VGS = 10 voltios y 17.2 mΩ a VGS = 7 voltios
• La carga total de la puerta es de 25 nanocouloumbs

TSM150NB04DCR

• La clasificación actual es de 38 amperios
• VDS es de 40 voltios
• El RDS máximo (ENCENDIDO) es de 15 mΩ en VGS = 10 voltios y 28,6 mΩ en VGS = 7 voltios
• La carga total de la puerta es de 18 nanocouloumbs

TSM250NB06DCR

• La clasificación actual es de 30 amperios
• VDS es 60 voltios
• El RDS máximo (ENCENDIDO) es de 25 mΩ en VGS = 10 voltios y 31.6 mΩ en VGS = 7 voltios
• La carga total de la puerta es de 22 nanocouloumbs

TSM300NB06DCR

• La clasificación actual es de 25 amperios
• VDS es 60 voltios
• El RDS máximo (ENCENDIDO) es de 30 mΩ en VGS = 10V y 42.3 mΩ en VGS = 7V
• La carga total de la puerta es de 17 nanocouloumbs

Imagen de Taiwan Semiconductor

Aplicaciones para los nuevos MOSFET de doble canal N

• Control del motor BLDC
• Gestión de la energía de la batería
• Convertidores DC / DC
• Rectificación síncrona secundaria

Alrededor de la industria

El MOSFET es el semiconductor más ampliamente construido del mundo, y el MOSFET de doble canal N es una configuración muy popular para este dispositivo ubicuo. Estos son solo algunos de los dispositivos que son competidores de Taiwan Semiconductor en este género.

En el NTMD4820N de Semiconductor hay un MOSFET de doble canal de potencia de 30 amperios y 8 amperios. El r_{DS (ENCENDIDO)} la especificación varía de 15 mΩ a 27 mΩ, dependiendo de V_GS y drenar la corriente. La unidad no contiene plomo ni haluro y está disponible en un paquete SOIC-8.

El CSD86311W1723 de Texas Instruments tiene una huella excepcionalmente pequeña de 1.7 mm por 2.3 mm. R_{DS (ENCENDIDO)} oscila entre 29 mΩ y 37 mΩ. La unidad no contiene PB ni halógenos y cumple con RoHS. Las aplicaciones incluyen gestión y protección de la batería, así como convertidores DC-DC.

El STS5DNF60L de STMicroelectronics presenta V_DS descomposición a 60 voltios y una corriente de drenaje continua máxima de 3 amperios a 100 ° C. R máxima_{DS (ENCENDIDO)} es de 45 mΩ.